Samsung розробила новий чіп HBM3E 12H з рекордною ємністю для підвищення потужності штучного інтелекту

Samsung Electronics – найбільший у світі виробник мікросхем динамічної пам’яті з довільним доступом, які використовуються у споживчих пристроях, таких як смартфони та комп’ютери.

Моделі генеративного ШІ, такі як ChatGPT від OpenAI, потребують великої кількості високопродуктивних мікросхем пам’яті. Вони дозволяють моделям генеративного ШІ запам’ятовувати деталі минулих розмов і вподобання користувачів, щоб генерувати відповіді, схожі на людські.

Samsung заявила, що вже почала надавати зразки клієнтам, а масове виробництво HBM3E 12H заплановано на першу половину 2024 року. У вересні Samsung підписала угоду про постачання Nvidia своїх мікросхем пам’яті з високою пропускною здатністю, повідомляє CNBC.

HBM3E 12H має 12-шаровий стек, але використовує вдосконалену термопресовану непровідну плівку, яка дозволяє 12-шаровим виробам бути такими ж високими, як і 8-шарові, щоб відповідати сучасним вимогам до упаковки HBM. В результаті мікросхема має більшу ємність при тих самих фізичних розмірах.

Samsung продовжує зменшувати товщину свого NCF-матеріалу і досягла найменшого в галузі зазору між мікросхемами на рівні семи мікрометрів (мкм), одночасно усуваючи порожнечі між шарами. Ці зусилля призвели до підвищення вертикальної щільності понад як на 20% у порівнянні з HBM3 8H.

Джерело: sundries.com.ua

Джерело: NNews

Джерело: storozhynets.info